scr소자 썸네일형 리스트형 IGBT소자와 SCR소자의 차이점 구분 IGBT SCR 비고 용어 Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Controlled Rectifier 개발연도 1980년도 1950년도 구동 전압구동 전류펄스 구동 구동특징 ON/OFF가능 ON가능하나 자체적인 OFF는 불가 SCR은 보호회로 작동불불가 단락보호 100µS단락가능 단락시에 파괴 IGBT는 단락 보호회로 가능 최대스위칭주파수 100KHz 10KHz 수십KHz에서도 고효율 가능 dv/dt제한 없음 있음 전압스너버 필요 di/dt제한 없음 있음 전압스너버 필요 패키지 모듈형 디스크형 IGBT는 비전문가도 조립가능 IGBT와 SCR의 비교할 수 없는 첫 번째 큰 차이는 스위칭 속도의 차이이다. 스위칭속도란 소자를 ON/OFF하는데 걸리는 시간을 말하는데.. 더보기 이전 1 다음